近年來，國(guó)際大廠對(duì)SiC器件失效機(jī)理進(jìn)行了深入分析，不斷開發(fā)新試驗(yàn)用于測(cè)試基于SiC功率半導(dǎo)體器件固有的運(yùn)行模式，同時(shí)改進(jìn)其他硅基半導(dǎo)體功率器件試驗(yàn)以滿足SiC固有的要求，了解新的潛在失效機(jī)制。目前國(guó)內(nèi)對(duì)于這方面研究還處于起步階段。

     目前，集成電路測(cè)試與分析實(shí)驗(yàn)室滿足硅基器件驗(yàn)證（如AEC-Q101）的市場(chǎng)需求，但隨著第三代半導(dǎo)體廠商的快速成長(zhǎng)，逐漸關(guān)注SiC器件潛在失效機(jī)制的驗(yàn)證、失效率及壽命的評(píng)估。如模塊車規(guī)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)AQG 324更新了2021版本，增加SiC Mosfet模塊驗(yàn)證內(nèi)容，但對(duì)于動(dòng)態(tài)應(yīng)力下SiC器件缺陷觸發(fā)實(shí)現(xiàn)沒有提及。隨著第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，市場(chǎng)上涌現(xiàn)很多競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，如何保持廣電計(jì)量在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的檢測(cè)優(yōu)勢(shì)，需要深入研究SiC器件的失效機(jī)制，建立SiC器件檢測(cè)核心優(yōu)勢(shì)，助力國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

     為解決制約第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)材料自主可控與產(chǎn)業(yè)化，使產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際優(yōu)秀水平，廣電計(jì)量集成電路測(cè)試與分析研究所對(duì)SiC器件進(jìn)行深入分析，開展了SiC器件的柵極氧化層可靠性及動(dòng)態(tài)應(yīng)力下缺陷觸發(fā)技術(shù)的研究。經(jīng)技術(shù)攻關(guān)，建立了一套完善準(zhǔn)確的檢測(cè)方法和SiC mosfet閾值電壓測(cè)試系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)SiC器件失效率與應(yīng)力壽命的評(píng)估及高壓運(yùn)行與快速開關(guān)相結(jié)合的固有工作模式下缺陷觸發(fā)驗(yàn)證試 驗(yàn)，建立了動(dòng)態(tài)柵偏、動(dòng)態(tài)反偏、動(dòng)態(tài)高溫高濕反偏試驗(yàn)系統(tǒng)（H3TRB）試驗(yàn)以及柵極氧化層壽命評(píng)估試驗(yàn)?zāi)芰Α?/p>

目前，該項(xiàng)技術(shù)已向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)發(fā)明專項(xiàng)4項(xiàng)，發(fā)表論文1篇。技術(shù)成果已為國(guó)內(nèi)數(shù)十家元器件廠商提供了技術(shù)服務(wù)，贏得了眾多客戶信賴與認(rèn)可。